Powiedz znajomym o tym przedmiocie:
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices 1. wydanie
Hao, Yue (Xidian University, Xi'an, PR of China)
Cena
zł 1.079,90
Zamówione z odległego magazynu
Przewidywana dostawa 15 - 26 lis
Nasi klienci mówią:
Dodaj do swojej listy życzeń iMusic
Również dostępne jako:
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices 1. wydanie
Hao, Yue (Xidian University, Xi'an, PR of China)
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).
388 pages, 469 black & white illustrations, 30 black & white tables
| Media | Książki Hardcover Book (Książka z twardym grzbietem i okładką) |
| Wydane | 3 października 2016 |
| ISBN13 | 9781498745123 |
| Wydawcy | Taylor & Francis Inc |
| Strony | 392 |
| Wymiary | 262 × 184 × 22 mm · 894 g |
| Język | English |